Pendant qu'Intel poursuit la miniaturisation des transistors vers l'infiniment petit, IBM, en utilisant une propriété des atomes de silicium, vient de développer une technique qui permet une circulation plus rapide des électrons entre ces atomes, sans réduire la taille des transistors. La technique mise au point par IBM est celle du "silicium étiré". Elle consiste à ajouter un maillage d'un mélange de silicium et de germanium au silicium de la puce. Cela augmente la fréquence de commutation de ces derniers, et donc la rapidité des puces électroniques. Les atomes de silicium déposés sur un substrat ont tendance à s'aligner avec les atomes de celui-ci.. Cette propriété d'auto-alignement facilite le passage des électrons entre atomes de silicium. Selon IBM, la vitesse de circulation est alors augmentée de 70%. ce qui se traduit par une augmentation de 35% de celle des puces et par une consommation plus faible d'énergie. Les premières puces en "silicium étiré" sont attendues pour 2003. Elles devraient atteindre une fréquence d'horloge de 5 GHz. Ce saut technologique devrait également permettre de fabriquer des puces pour appareils portables cadencés à 1 GHz qui ne consommeraient qu'un demi watt d'énergie. Décidement l'électronique "classique" sur silicium a encore de beaux jours devant elle !
Brève rédigée par @RT Flash
IBM : http://www.ibm.com/news/2001/06/08.phtml
BBC :
http://news.bbc.co.uk/hi/english/sci/tech/newsid_1384000/1384452.stm
