Les premiers lasers bleus au nitrure de gallium (GaN) avaient fait sensation en 1993. Grâce à de spectaculaires progrès accomplis depuis par leurs inventeurs, l'équipe du Dr Nakamura de la société japonaise Nichia, le cap des 10 000 heures en fonctionnement continu a été atteint et leur commercialisation est proche. Pour l'instant, les brevets déposés entravent efficacement les efforts des laboratoires concurrents attirés par l'enjeu: le marché du stockage digital (CD-Rom, disques vidéo). Les faibles longueurs d'onde de ces lasers (de l'ordre de 400 nanomètres) permettent en effet de stocker quatre fois plus de données que les lasers à infrarouge conventionnels. Cet engouement s'étend à de nouvelles applications, notamment vers les semi-conducteurs dans les téléphones mobiles. Les puces à base de GaN peuvent aussi atteindre de grandes puissances à haute fréquence. Ces performances permettent d'augmenter la puissance d'émission: on pourra ainsi placer sur des orbites plus hautes les satellites de télécommunication des prochaines constellations et en diminuer le nombre nécessaire à une couverture globale de la Terre. Les puces courantes des téléphones mobiles sont à base d'arséniure de gallium (AsGa) et fonctionnent à des puissances de 1 W/mm pour des fréquences de 10 GHz. En comparaison, les nouveaux transistors en GaN développés à l'université de Cornell atteignent 2,2 W/mm à 4 Ghz. Des puces de 100 W à 10 Ghz sont déjà envisagées. Pour réaliser ces puces, les chercheurs de Cornell ont abandonné la technique de dopage classique, mais ont déposé sur le GaN une très fine couche de nitrure de gallium et d'aluminium (AlGaN).
(La Recherche/novembre 98)
http://www.larecherche.fr/ARCH/98/11/tec.html
