Une équipe de chercheurs du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS-CNRS) a développé une méthode novatrice pour la fabrication de transistors verticaux miniaturisés. Cette technique, basée sur l’utilisation de nanofils de silicium, permet la création de contacts métalliques d’une fiabilité et d’une performance jusqu’alors inégalées.
L’innovation majeure réside dans l’abandon de la résine photosensible traditionnellement utilisée pour le dépôt sélectif du métal. Les scientifiques ont opté pour une approche alternative. Une couche métallique est déposée à la base des nanofils, puis structurée par un procédé de gravure couramment employé dans l’industrie des semiconducteurs. La nouvelle méthode présente des avantages significatifs. Elle permet notamment de réduire la résistance électrique des contacts métalliques, améliorant ainsi sensiblement leurs performances. De plus, la reproductibilité du procédé s’avère excellente, garantissant une uniformité des caractéristiques d’un transistor à l’autre.
Le potentiel de la technologie a été démontré par les chercheurs. Des portes logiques NOR et NAND, éléments fondamentaux de la plupart des fonctions logiques dans les circuits intégrés, ont été réalisées. L’utilisation de transistors verticaux de taille nanométrique, avec des longueurs de grille inférieures à 20 nm, pourrait permettre de réduire d’environ 50 % la surface du substrat utilisée par rapport aux technologies planaires actuelles. Cette avancée représente un pas important vers la densification des circuits intégrés.
La prochaine étape des travaux est déjà envisagée par les chercheurs : la réalisation d’empilements de plusieurs niveaux de transistors verticaux. Cette approche pourrait conduire à une augmentation encore plus significative de la densité des composants électroniques.
Les implications de cette avancée technologique sont considérables pour l’industrie électronique. La possibilité de créer des circuits plus compacts ouvre de nouvelles possibilités pour des appareils électroniques plus petits, plus puissants et potentiellement plus économes en énergie.
Les résultats de cette recherche ont été publiés dans la revue scientifique ACS Nano Letters. La publication souligne l’importance de cette avancée pour la communauté scientifique et l’industrie des semiconducteurs. Cette innovation dans la fabrication de transistors verticaux marque une étape importante dans l’évolution de l’électronique. Elle laisse entrevoir un futur où les appareils électroniques seront encore plus intégrés dans notre quotidien, offrant des performances accrues dans des formats toujours plus compacts.
Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash
