Une équipe européenne de recherche, associant des chercheurs de l'Université de Glasgow et de l'Université Rovira i Virgili à Tarragone, a montré que certains oxydes métalliques qui peuvent retenir une charge électrique et agir comme de la MOS (Metal Oxyde Semi-conducteur) pourraient constituer une autre base pour les composants utilisés dans la mémoire flash.
Ces travaux ont notamment montré que les molécules polyoxométalates (POM) peuvent agir comme des nœuds de stockage pour concevoir des composants flash MOS et créer un nouveau type de mémoire, baptisé « write-once-erase ».
Jusqu'à présent, les chercheurs ne parvenaient pas à surmonter le problème de l'instabilité thermique et de la faible conductivité électrique des substrats. Mais ces recherches montrent que les POM peuvent permettre de produire, sans modifications majeures des process industriels, ce nouveau type de mémoire flash moléculaire.
Article rédigé par Georges Simmonds pour RT Flash
