Une équipe constituée de chercheurs de l'Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN) du CNRS et du Service de Physique de l'Etat Condensé du CEA ont mis au point des transistors à partir de nanotubes de carbone sur substrat de silicium. Ceux-ci devraient permettre de réelles avancées pour les applications grand public qui réclament des fréquences de fonctionnement élevées.
Pour développer ces composants, les chercheurs ont eu recours à la di-électrophérèse, qui consiste à créer un mouvement sur une particule polarisable à l'aide d'un champ électrique non uniforme. Cette technique permet d'obtenir un dépôt - uniforme, lui - d'un grand nombre de nanotubes alignés. Les transistors, qui atteignent des fréquences de coupure de 30 GHz, seront utilisés prioritairement comme interrupteurs commandés. Principal avantage de cette innovation : le procédé d'élaboration, qui peut s'effectuer à température ambiante, est désormais compatible avec les substrats à faible coût comme le verre ou le plastique.
