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Semiconducteurs : la promesse du CMOS 'haute température
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L'Institut Fraunhofer pour les circuits microélectroniques, ou IMS, vient de présenter une première technologique : des puces CMOS capables d'opérer jusqu'à 250°C, soit considérablement plus haut que les 125°C au-delà desquels le CMOS conventionnel rend l'âme. Et la limite pourrait atteindre 300°C. Le Fraunhofer réussit ce tour de force en modifiant l'organisation physique de la puce. Le procédé, Simox (séparation par implantation d'oxygène), consiste essentiellement à optimiser la séparation entre le substrat et le circuit semiconducteur proprement dit, grâce à des couches d'oxyde conçues spécialement pour servir d'isolants thermiques. L'IMS combine ces couches, réalisées en quartz, avec un “emballage” du circuit dans une enveloppe de tungstène. Les chercheurs ont réalisé des prototypes d'EEPROM utilisant la technologie. Le résultat est un CMOS probablement un peu coûteux mais parfaitement compatible avec le CMOS conventionnel. L'objectif n'est pas ici de pousser l'électronique CMOS dans ses retranchements en terme de performances électroniques, mais de lui ouvrir la porte de multiples applications, industrielles en particulier, où les conditions d'opération lui interdisait jusqu'à présent de jouer un rôle important. Les EEPROM expérimentales ont par exemple été utilisées sur un site de forage géologique et le Fraunhofer rêve désormais de les décliner dans de nombreuses applications “chaudes”, des moteurs aux systèmes de freinage, en passant par les cuisinières domestiques....
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