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ReRam : une puce mémoire 100 fois plus rapide
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Des chercheurs britanniques pensent avoir mis au point une mémoire cent fois plus rapide que la NAND Flash. La RAM résistive, ou ReRAM, consiste en des puces composées d'oxyde de métal qui disposent d'une propriété résistive et changent d'état en fonction de la tension appliquée sur celles-ci. Cette valeur résistive induite est enregistrée même si la tension n'y est plus appliquée, par exemple dans le cas d'une mise hors tension du système.
D'après les chercheurs de l'UCL, University College of London, ces puces ReRAM promettent également d'offrir beaucoup plus d'espace de stockage que les puces NAND Flash actuellement utilisées, tout en consommant moins d'énergie et en étant plus petites. Une récente publication dans le "Journal of Applied Physics" explique ainsi que la nouvelle structure composée d'oxyde de Silicium répond mieux au changement fréquent de la tension qui induit la valeur résistive de la cellule qu'avec les anciens matériaux utilisés.
Au sein de la cellule, les atomes de carbone s'alignent pour former des filaments qui sont plus ou moins résistifs, ainsi le nombre de filaments permet de passer d'un état 1 à un état 0 très rapidement. L'UCL va plus loin dans sa présentation en indiquant que ce nouveau matériau développé pour ces puces est potentiellement moins cher à produire, plus robuste dans le temps et pourrait même être assez fin pour fabriquer des puces quasi-transparentes.
"Nos puces ReRAM ne nécessitent qu'un centième de l'énergie et sont cent fois plus rapides que les puces NAND Flash standards", annonce Dr Tony Kenyon, ingénieur à l'UCL au département Electronique et Electrique. Ces recherches se rapprochent de celles d'HP sur les Memristors, qui sont basées sur du dioxyde de Titane et disposeraient des mêmes propriétés que la ReRAM. Cette nouvelle approche par l'oxyde de Silicium permettrait d'intégrer des puces de stockage bien plus facilement à des puces de traitement, comme des processeurs, pour réaliser des puces hybrides avec une base de stockage ultrarapide pour du cache de grande taille et une couche supérieure pour les transistors du CPU par exemple.
De plus, un autre ingénieur de l'UCL, Adnan Mehonic explique que "Le potentiel de ce nouveau matériau est énorme. Pendant nos phases de test, nous nous sommes aperçus qu'il était possible de programmer des puces à plus de deux états de conductivité", ce qui pourrait également rejoindre d'autres recherches plus avancées encore.
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