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Le memristor ferroélectrique sera-t-il la mémoire du futur ?
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Pour surmonter le défi des limites physiques de la miniaturisation électronique, les scientifiques explorent de nombreuses voies technologiques nouvelles. Parmi celles-ci, le memristor, une nano-résistance à effet mémoire, semble promis à un bel avenir. Le memristor fonctionne selon le même principe que la synapse et possède la propriété d'autoapprentissage.
Jusqu'à présent, les memristors reposaient sur le transfert d’ions ou d’atomes dans un matériau sous l’effet d’une tension électrique et d’une brusque montée de température provoquée par le courant électrique. Mais ce procédé était grand consommateur d'énergie. C'est pourquoi une équipe de recherche associant le CNRS, Thales et l’Université de Cambridge, a mis au point un nouveau type de memristor beaucoup plus économe en énergie.
Ces chercheurs ont réalisé un nouveau type de memristor reposant sur une propriété quantique de la matière, l'effet tunnel, qui permet aux électrons de "sauter" à travers une couche très fine de matériau ferroélectrique polarisé électriquement, comme un aimant. Grâce à ce dispositif, le courant électrique peut d’un facteur 300 en fonction de l'orientation de la polarisation. En outre, la polarisation peut être inversée sous l'effet d'un champ électrique extérieur. En modulant ce champ électrique, il est possible de faire varier la résistance électrique.
Ce nouveau type de memristor peut être utilisé comme mémoire numérique ou analogique. Il est en outre particulièrement sobre et consomme dix fois moins que les mémoires flash, pour un temps d’écriture d'une dizaine de nanosecondes. Enfin, autre avantage, cette mémoire est réinscriptible plus de 1000 fois contre une centaine pour les mémoires flash.
Plus économe, plus rapide, plus robuste ? Ce memristor pourrait bien être un élément incontournable pour la construction de neurones artificiels.
Article rédigé par Mark FURNESS pour RTFlash
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