RTFlash

Matière

Mémoires : une percée dans les MRAM

Associés depuis novembre 2000 dans la recherche sur les mémoires non volatiles, International Business Machines et Infineon Technologies ont annoncé le 10 juin avoir réalisé une avancée importante dans le domaine des mémoires MRAM, qui pourraient notamment permettre d'allumer les ordinateurs quasi-instantanément. IBM a expliqué que les mémoires MRAM (Magnetic Random Access Memory) pourrait remplacer dès 2005 les DRAM (Dynamic random access memory), mémoire vive des PC actuels. La technologie MRAM agira également comme une mémoire Flash, qui permet de sauvegarder des données quand l'appareil est éteint. Avec une mémoire MRAM, un ordinateur pourra s'allumer comme une lampe, instantanément, souligne IBM. Contrairement aux mémoires DRAM, l'information n'est plus stockée sur les MRAM sous forme d'impulsions électriques mais sous forme de charges magnétiques grâce à la technologie des jonctions magnétiques "tunnels". En outre, ce type de mémoire non volatile n'a pas besoin d'un "raffraichissement" constant des données et consommera donc beaucoup moins d'énergie que nos actuelles mémoires DRAM et SRAM : un atout décisif pour accroître l'autonomie des mobiles, portables, PDA, ordinateurs de poche et autres terminaux numériques nomades. Enfin dernier avantage de ces MRAM, une rapidité d'accès bien plus grande que nos mémoires actuelles. Cette annonce des deux fabricants survient au moment où tous cherchent des moyens de mieux traiter les données, sur PC, téléphones portables ou ordinateurs de poche. "Je pense que le secteur recherche désespérément une technologie de mémoire universelle qui peut répondre à tous les défis actuellement relevés par différents types de mémoires", a souligné Richard Gordon, analyste chez Gartner. IBM, qui travaille sur les MRAM depuis les années 70, espère pouvoir faire une démonstration l'année prochaine. D'autres grands noms travaillent sur ces nouvelles mémoires, notamment Toshiba, Motorola et NEC.

Brève rédigée par @RT Flash

IBM :

http://www.research.ibm.com/resources/news/20030610_mram.shtml

Noter cet article :

 

Vous serez certainement intéressé par ces articles :

Recommander cet article :

back-to-top