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Des mémoires magnétiques pour 2004
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Les espoirs des mémoires magnétiques viennent de faire un bond avec une alliance au sommet entre IBM et Infineon. Les deux géants de l'électronique ont décidé de combiner leurs ressources considérables (en démarrant avec 80 chercheurs et ingénieurs sur le projet) avec l'espoir de commercialiser des MRAM en 2004. Comme l'autre grande technologie mémoire d'avenir, la FRAM ou mémoire ferroélectri-que, la mémoire magnétorésistive promet de mettre fin à la segmentation des technologies mémoires. En effet, les équipement électroniques et informatiques actuels doivent jongler avec des mémoires optimisées pour leur prix (les DRAM), leur vitesse (les SRAM) ou leur rémanence (les mémoires-flash), aucune n'étant capable de faire le travail des autres. Sans même entrer dans la litanie des variations techniques comme les DRAM ou SGRAM... Les MRAM comme les FRAM devraient, elles, pouvoir accomplir cette combinaison de tous les facteurs importants. Dans l'alliance IBM-Infineon, Infineon apporte son expérience en matière de mémoires haute densité, et IBM, dont les laboratoires accueilleront l'essentiel du développement, apporte sa maîtrise des jonctions tunnel magnétiques (la clé des MRAM) et une technologie maison (chaque cellule d'une MRAM combine une jonction tunnel et un transistor). Une mémoire magnétique ne perd pas ses données lorsqu'elle n'est plus alimentée. Ainsi, quand on allumera l'ordinateur, il ne faudra plus attendre que les données "montent" en mémoire avant de commencer à travailler : l'ordinateur s'allumera instantanément, exactement tel qu'il était quand on l'a éteint.
Usine Nouvelle : http://www.usinenouvelle.com/
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