Matière
- Matière et Energie
- Electronique
IBM met au point le circuit le plus rapide au monde
- Tweeter
-
-
0 avis :
IBM annonce la finalisation du circuit imprimé le plus rapide du monde, cadencé à une vitesse d'horloge de 110 gigahertz, soit 110 milliards de cycles électriques par seconde, contre 80 gigahertz pour la précédente génération. Ce circuit électronique intégré utilise la technologie du silicium-germanium (SiGe), a précisé International Business Machines Corp, premier groupe informatique mondial, au salon d'électronique Gorham Compound Semiconductor Outlook, à San Mateo, en Californie. La technologie SiGe ajoute au traditionnel silicium utilisé comme semi-conducteur les meilleures propriétés conductrices du germanium. Elle permet des performances accrues de l'ordre de 80% pour une consommation électrique moindre d'environ 50%. Le nouveau circuit imprimé, commercialisé à la fin de l'année 2002, sera destiné aux constructeurs de matériels informatiques tels les équipements d'infrastructure de réseaux, comme Cisco Systems. Certains concurrents d'IBM travaillent également sur des composants ultra-rapides grâce à la technologie silicium-germanium, dont Conexant Systems qui a annoncé en décembre dernier mettre au point un circuit à 200 gigahertz.
IBM :
http://www.ibm.com/news/us/2002/02/25.html
Noter cet article :
Vous serez certainement intéressé par ces articles :
Un nouveau circuit intégré photonique économique et très efficace
Des chercheuses et chercheurs de l’EPFL ont mis au point un circuit intégré photonique évolutif, à base de tantalate de lithium. Cette avancée significative dans les technologies optiques offre un ...
Une nouvelle famille de mémoire informatique à base de matériaux 2D
Des scientifiques de l'Université de Rochester (New York) ont développé ces commutateurs résistifs hybrides dans le laboratoire de Stephen M. Wu, professeur assistant en génie électrique et ...
Matériaux 2D et transfert de couche mince : le CEA-Leti et Intel combinent leurs forces pour des transistors sous-nanométriques
L’Institut Leti du CEA et Intel ont annoncé, fin juin 2023, leur collaboration visant à poursuivre la miniaturisation du transistor en deçà du nanomètre. Pour remplir cet objectif d’ici à 2030, les ...
Recommander cet article :
- Nombre de consultations : 86
- Publié dans : Electronique
- Partager :