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IBM annonce la création d'un transistor plus rapide
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International Business Machines a annoncé avoir fabriqué un transistor utilisant la technologie silicium-germanium trois fois plus rapide que ceux utilisant la technologie actuelle. Le transistor, d'une vitesse de 350 milliards de cycles à la seconde, permettrait de fabriquer des microprocesseurs extrêmement rapides, accélérant le transfert de données via des réseaux sans fils, a précisé IBM. Un transistor agit comme un petit interrupteur au sein d'un semi-conducteur. La combinaison de milliers de transistors permet de créer des microprocesseurs qui sont utilisés dans des appareils aussi différents que les téléphones mobiles, les toasters et les ordinateurs. Le transistor d'IBM est fabriqué en silicium-germanium, constitué de deux matériaux: le silicium, le semi-conducteur le plus largement utilisé et le germanium, similaire au silicium. Quand le silicium et le germanium sont combinés en couches, le transistor réagit plus rapidement. Les transistors utilisant la technologie silicium-germanium, également appelée SiGe, peuvent être combinés avec des transistors en silicium pour créer des circuits haute-fréquence utilisés, entre autres, dans les téléphones mobiles et des interrupteurs optiques. IBM a affirmé qu'en utilisant ce transistor il pouvait faire tourner les puces à 150 gigahertz, ou 150 milliards de cycles à la seconde dans les deux prochaines années. Il a précisé qu'une telle puce consommerait moins d'énergie et serait moins coûteuse à fabriquer. Les puces actuelles les plus performantes tournent à 50 gigahertz, a précisé un porte-parole d'IBM.
Reuters : http://fr.news.yahoo.com/021104/85/2tzay.html
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