Contrôler les propriétés électroniques et thermoélectriques par des déformations d'épitaxie
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CNRS n° 14
Des scientifiques de l'Institut des nanotechnologies de Lyon ont montré qu'en créant des déformations structurales dans des couches minces d'un semi-conducteur déposées sur différents substrats, sa conductivité électrique et sa puissance thermoélectrique peuvent être contrôlées sur deux ordres de grandeur.
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