Transistors : IBM vise la barre des 200 GHz !
IBM vient d'annoncer la mise au point de nouveaux transistors à base de silicium et de germanium qui permettront de fabriquer d'ici deux ans des semi-conducteurs cinq fois plus rapides que les modèles actuels. 80% de performances en plus et 50% de consommation électrique en moins, voilà les ...
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