Edito : Electronique du futur : la loi de Moore a encore de beaux jours devant elle…
Le transistor bipolaire (contraction de transfer resistor, ou résistance de transfert) a été inventé en décembre 1947 par les Américains John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain, tous chercheurs des Laboratoires Bell. Ils recevront pour cette invention le prix Nobel de physique en 1954. ...
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